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【原创】说说正激变压器(二)
阅读: 33690 |  回复: 232 楼层直达

2011/10/21 13:24:30
1
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

QQ截图20160321155901   免费送!!!基于罗姆1700V碳化硅的AC/DC 免费试用

QQ截图20160321155901   号外!号外!罗姆碳化硅功率管评估板免费试用



今年3月份的时候发了个正激变压器的讨论帖,反响良好,讨论也很热烈

【讨论】说说正激变压器(一)

但由于帖子太长,回复超过了600贴,大家看帖子不太方便,所以重新开一帖

本帖的内容跟上一帖略有不同,主要说说正激变压器的计算,变压器绕法,复位方式,分布参数等内容

标签 变压器 正激
2011/10/21 13:27:29
2
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

先挖个坑,然后慢慢填土

大家可以先讨论,谈谈自己的理解与计算的方法,以及心得,也可以提出疑问。由于工作的关系,不能天天来威廉希尔网,但只要我看到了,而且是我能够解答的,我一定会回复。

2011/10/21 13:33:09
3
威廉希尔网-源源
威廉希尔币:6964 | 积分:60 主题帖:331 | 回复帖:1332
LV10
司令
搬个小板凳坐等冰版开讲
2011/10/21 13:34:40
5
zvszcs
威廉希尔币:104 | 积分:0 主题帖:228 | 回复帖:3327
LV12
元帅

顶上去

 

2013/06/02 16:39:35
198
xieweixiong1989
威廉希尔币:102 | 积分:0 主题帖:6 | 回复帖:27
LV4
连长

偶的源源啊  你搬什么凳子啊 你又听不懂,是不是替我听课啊

2011/10/21 17:19:41
10
wuzhibird
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:40
LV4
连长

一口气看完了整个帖子,好长,但是受益非浅,多谢斑竹。

2011/11/08 20:10:52
73
yuzixuan
威廉希尔币:154 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:165
LV8
师长
你说的是这个帖子还是上个的?
2011/10/24 11:45:00
18
tony_dai
威廉希尔币:147 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:420
LV8
师长
站着听课
2011/10/24 16:38:12
29
流水禅心
威廉希尔币:44 | 积分:0 主题帖:70 | 回复帖:320
LV7
旅长

冰版你说:电子变压器一般都是自谐振半桥结构

这个是什么意思呢,能不能解释下啊

2011/10/24 17:03:34
30
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

意思就是电子变压器一般都是采用半桥RCC的结构,这样做电路简单,成本低廉

当然也有采用IC控制的对称半桥结构做的

2011/11/08 20:09:15
72
yuzixuan
威廉希尔币:154 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:165
LV8
师长
工作那么忙?晚上难道还要加班?
2011/11/27 17:20:02
113
ctx1211
威廉希尔币:209 | 积分:0 主题帖:16 | 回复帖:435
LV7
旅长
好人啊,听课
2014/06/18 10:03:06
217
liushuiwuhen16
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:13 | 回复帖:2
LV2
班长
看斑竹帖子这么火,来凑个热闹。想在此请问个问题啊,正激拓扑的威廉希尔,双路出来25V(每路12.5V),利用变压器的激磁电感和MOSFET结电容谐振复位,现在发现每次都烧+12.5V路整流管,而且表现的是过压击穿,到底是什么原因啊,求指导啊
2011/10/21 13:33:21
4
豆包儿
威廉希尔币:10 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:6
LV1
士兵
冰版的帖子要好好学习学习了,感谢这次活动和这些大牛们给我等新人学习的机会~
2011/10/21 14:34:27
6
mko145
威廉希尔币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
新开个帖子很好 ~
2011/10/21 14:50:26
7
笨小孩1114
威廉希尔币:578 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:1143
LV10
司令
学习喽!!大师们继续啊!
2011/10/21 16:03:05
8
lxgmvp
威廉希尔币:392 | 积分:0 主题帖:6 | 回复帖:347
LV7
旅长

前十,搬板凳听课。

2011/10/21 17:06:33
9
qi8903
威廉希尔币:13 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:193
LV6
团长
来了
2011/10/22 01:47:58
11
乔#老#爷
威廉希尔币:55 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:46
LV5
营长
老弟!我又来凑热闹了!最近有点忙,一有时间的话我就依然在这里搅和搅和
2011/10/22 15:21:32
12
wuzhonggui
威廉希尔币:71 | 积分:10 主题帖:30 | 回复帖:1078
LV9
军长
听课
2011/10/24 11:36:42
17
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅
乔兄做正激应该是有很强的实践经验,请指导。
2011/10/25 01:45:00
34
乔#老#爷
威廉希尔币:55 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:46
LV5
营长

哪里敢说指导啊!有时间的话在里面凑凑热闹而已,最近实在是太忙了,忙完这阵子再在里面搅和搅和啊,还有好多问题得请教老弟你呢

2011/10/28 15:49:53
43
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅
互相交流学习
2011/10/22 15:32:21
13
yangwenjie
威廉希尔币:74 | 积分:0 主题帖:11 | 回复帖:25
LV3
排长
希望冰版先给个简单实用的参考计算。
2011/10/23 14:12:57
14
power雨点
威廉希尔币:30 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:93
LV4
连长
顶  听讲 认真
2011/10/24 17:19:56
32
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅
后面会有计算实例的,请继续关注
2012/07/29 20:54:31
175
hechaocao
威廉希尔币:256 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:181
LV5
营长

学习之

 

2011/10/23 20:36:46
15
晶熔铁
威廉希尔币:410 | 积分:0 主题帖:27 | 回复帖:257
LV7
旅长

我替冰版开个头,先说说输入输出电压的计算方法与漏感之间的关系吧...

简化的输入输出计算公式是 Vout=Vin*Ns/Np*D ,当然实用时是不太精确的。

由于漏感导致的占空比丢失,即实际的“D”已非开关管导通的“D”。

2011/10/24 11:35:55
16
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

欢迎晶版主等众多高手尽量给与指导!

因个人的时间,精力,水平有限,写个原创类的帖子心里诚惶诚恐,怕是误导了大家,故请各位尽量的指出我的错误,以便大家共同进步。

尽量做到由浅入深,请多多支持

2011/11/08 20:14:38
74
yuzixuan
威廉希尔币:154 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:165
LV8
师长

大家在讨论中共同前进哦!

2011/10/26 22:52:53
37
hskfly
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:9
LV2
班长
你好,请问漏感导致的占空比丢失这句话怎么理解呢,漏感是如何导致占空比丢失的,谢谢
2011/10/28 15:48:46
42
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

其实晶版主提出的问题也是大家经常碰到的问题

关于漏感导致占空比丢失的问题,我是这么理解的,漏感会导致spike,而反馈回路就会使原边暂时不输出PWM,所以导致部分的占空比丢失现象

2011/11/01 21:54:00
58
GreenEnergy
威廉希尔币:49 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:281
LV7
旅长

越俎回答一下:

   

 这是两种不同的,由于漏感导致占空比丢失的电压波形,输出电压必受占空比损失的影响。

 

2011/11/08 20:19:11
75
yuzixuan
威廉希尔币:154 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:165
LV8
师长
可不可理解为,步进电机由于受到电磁干扰,导致丢步????????
2011/12/01 10:09:04
118
GreenEnergy
威廉希尔币:49 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:281
LV7
旅长
这个太牵强了!
2011/11/23 21:54:10
103
晶熔铁
威廉希尔币:410 | 积分:0 主题帖:27 | 回复帖:257
LV7
旅长

漏感可等效看做与变压器串联,所以在变压器的电压波形上可以看到有相位或幅度上的滞后,漏感越大,滞后越多。

2011/10/24 11:49:46
19
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

再不更新就成水贴了。

从最基本的说起吧,先在原理是简单探讨下,然后来个计算实例,最后咱们来讨论

正比变压器由于储能装置在后面的BUCK电感上,所以没有Flyback变压器那么复杂,其作用主要是电压、电流变换,电气隔离,能量传递等

所以,我们计算正激变压器的时候,一般都是首先以变压次级后端的BUCK电感为研究对象的,BUCK电感的输入电压就是正激变压器次级输出电压减去整流二极管的正向压降,所以我们又称正激威廉希尔是BUCK的隔离版本。

2011/10/24 11:58:49
20
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

对于BUCK电路,原理相信大家都比较熟悉,就不在本帖讨论了,如果有必要再开一帖跟大家讨论吧

Vo=Vin*D

Vo:输出电压,Vin:BUCK的输入电压,即正激变压器的输出电压减去整流管的正向压降,D:占空比在此,输出电压是已知的我们只要确定一个合适的占空比,就可以计算出BUCK电感的Vin,也就是说变压器的输出电压基本就定下来了

在这特别要提醒大家,占空比D的取值跟复位方式有很大的关系,建议D的取值不要超过0.5,至于为什么后面在讨论复位方式的时候再深入探讨

2011/10/24 12:21:58
21
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

知道变压器的输出电压Vs之后,那么就可以根据输入的电压来计算出变压器的匝比了,这里要用最低输入直流电压来计算匝比,因为最低输入的直流电压对应最大的占空比

此Vs的电压对于选择次级整流二极管的耐压也是一个很重要的数据

选择匝比的时候请大家注意,因为计算出来的值一般都是小数点后有一位甚至几位的值,而我们在实际绕制变压器的时候,零点几匝的绕法非常困难,所以尽量取整数倍的匝比;当然,如果计算变压器的时候,变压器的初次级匝数比也不排除刚好是小数的情况

2011/10/24 12:31:37
22
lxgmvp
威廉希尔币:392 | 积分:0 主题帖:6 | 回复帖:347
LV7
旅长

顶上去

2011/10/24 12:58:21
23
YinYuan
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:6 | 回复帖:123
LV5
营长

留个记号民,慢慢看,最近正在做一款正激模块~~~

2011/10/24 13:44:16
24
qi8903
威廉希尔币:13 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:193
LV6
团长

非常感谢冰版,正在学习正激

2011/10/24 15:53:00
28
kinto
威廉希尔币:280 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:157
LV5
营长
一直有个问题:正激很少用在全电压的范围,是因为占空比变化过大吗,还是其它原因?请高手讲解
2011/10/24 17:23:36
33
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

是的,占空比的变化太大就会使次级的电感设计变得麻烦

你可以试着计算全电压范围输入时,次级占空比变化的范围,然后去计算下次级储能电感,你会慢慢明白的

2011/10/26 10:43:48
35
RGBE1888
威廉希尔币:131 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:157
LV5
营长
要想全电压就得加上有源PFC是吗?
2011/10/28 15:51:10
44
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

加有源PFC只是方法中的一种

2011/11/08 20:36:48
77
yuzixuan
威廉希尔币:154 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:165
LV8
师长

无源PFC不可以吗?

2014/06/22 11:23:54
218
lijuan@
威廉希尔币:121 | 积分:0 主题帖:35 | 回复帖:36
LV5
营长

要想正激工作全电压是否可加倍压电路

2011/10/30 10:45:55
54
hh123
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:47
LV4
连长

为什么会比较麻烦,一般按照最小占空比来计算感量不就行了

2011/11/02 17:49:46
60
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

理论上是可以的,但是你自己去算算,看占空比的变化范围,况且正激有个最小占空比的问题

不是说不行,只是不太适合

2011/12/04 20:18:54
119
manmaxim
威廉希尔币:15 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:15
LV2
班长
有个最小占空比的问题?是不是钳位电压升高?
2011/11/08 20:34:29
76
yuzixuan
威廉希尔币:154 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:165
LV8
师长
楼主计算过,公示一下啊!
2011/10/24 14:00:34
25
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

中午吃完饭继续

上面扯了一堆都没有真正说到变压器上面来,下面开始说变压器

第一个需要面对的就是变压器骨架与磁芯的选择,其需要考虑的因素实在太多,我们列举其中一部分来讨论下:

首先用Ap法(磁芯面积乘积法)来计算变压器的AP值:

AP=AW*Ae=(Ps*10^4)/(2ΔB*fs*J*Ku)

AW:  core之窗口面积. ( cm^2);Ae:   core有效截面积 . ( cm^2);Ps :   变压器传递视在功率 ( W )     Ps=Po/η+Po  (正激式);ΔB:   磁感应增量  ( T ); fs :   变压器工作频率    ( HZ ); J :    电流密度 ( A ) .根据散热方式不同可取300~1000 A/cm^2;Ku:  磁芯窗口系数. 可取0.2-0.4.

对于上式Ap算法得到的值,跟实际使用的变压器AP值相差较远,所以被人广泛诟病。其实产生误差的根本原因是,上式基本上都是在工程应用中才有优化近似而得到的,所以有些参数是较为理想,而实际使用中很多的参数是变化的,甚至还有些分布参数在“捣乱”,所以造成了偏差,在实际使用在还要考虑到余量,所以对于计算得到的Ap值乘上一个1.5-2的系数比较合理

2011/10/27 08:42:32
38
qinzutaim[版主]
威廉希尔币:3558 | 积分:144 主题帖:38 | 回复帖:3787
LV11
统帅

占个位听课

2011/10/28 16:39:31
48
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

其实这里的ΔB( 磁感应增量)是个比较重要的物理量,需要大家注意

ΔB表征磁芯的在威廉希尔工作时,磁感应强度的变化范围,ΔB=Bmax-Br,Bmax是最大磁感应强度,Br剩余磁感应强度

在输入电压与工作频率不变的前提条件下,对于同一幅磁芯,ΔB取得越大,磁感应强度的变化范围越宽,磁芯的铁损越大,但所需要的匝数就越少,相应的铜损就小

选用磁芯的时候,需要选择饱和磁通密度尽量高,剩余磁通密度尽量小的磁芯,这样可以实现小磁芯出大功率的目的。

2012/01/18 11:39:44
157
xji4c04
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:19
LV4
连长
冰板 想請問一下 到底Ps是在說甚麼阿 我不太了解甚麼式變壓器的傳遞視在功率 能不能多做解釋一下呢? 又為什麼他的公式是Ps=Po/η+Po  (正激式) 那反激的话又该怎么计算呢?
2015/02/07 23:59:16
224
sunblackbear
威廉希尔币:0 | 积分:1 主题帖:14 | 回复帖:47
LV4
连长

 

有点疑问: 这个AP法和你提供的不一样, 而这个是通用材料选择用, 只是对于不同的拓扑所用的B不一样.

2011/10/24 14:12:15
26
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

得到AP值之后,可能有非常多的变压器都符合需要,这是首先需要考虑结构尺寸的限制,特别是高度与宽度的限制。

比如EFD30与EI28的AP值同样都是0.6cm4左右,但EFD30的高度小很多,更适合与扁平化的威廉希尔中,而EI28对于紧凑型威廉希尔则显得更重要。

2011/10/24 14:42:39
27
zengwangbao
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:9
LV2
班长
先占个位置听课
2011/10/24 17:18:50
31
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

其次,从降低漏感与分布电容的角度出发,应该选择骨架宽度较宽的变压器磁芯跟骨架,这样单层绕线的匝数会更多,有利于降低绕线层数,从而降低漏感与分布电容,关于漏感的问题,我们在后面再展开讨论

再次,还要从通用性与经济性的角度来考虑,这是工程设计中无法回避的现实问题。

当然还有安规,EMI,温升,绕法等一些问题需要考虑

2011/10/26 18:53:16
36
求学者
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:45 | 回复帖:34
LV5
营长

冰斑:您好!非常感谢您。很幸运在我设计第一款单管正激时遇到了您开的这个帖子。受益良多。

眼前有个问题想请教:我的设计输出功率是200W,用的是EER35/42/11   威廉希尔输出55V左右,F=70K 匝数为50:40  无风冷。

这个参数我实验了很多种绕制方法发现:采用1/2NP NS 1/2NP无气隙(RCD复位) 威廉希尔效率是相对理想的(88%)。一旦开气隙或加复位绕组或者您前面讲的顺序绕法等5、6种绕法,输入功耗会增加5--8W,并且VDS也增高了不少。

我很想用牺牲效率的办法换来可靠性。但经验欠缺不知如何取舍。请冰斑指点个相对优化的绕法。感谢先!

 

2011/10/27 11:31:11
39
chenhaijun9797
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:16 | 回复帖:69
LV5
营长
我想问一下军长,如果用了复位绕组,还要不要加RCD吸收回路呢?
2011/10/28 10:42:47
40
世界真奇妙[实习版主]
威廉希尔币:182 | 积分:21 主题帖:16 | 回复帖:565
LV8
师长
要不要加RCD吸收回路,要看MOS管有没有电压尖峰;有没有电压尖峰,尖峰有多少,受到一些不确定的因素影响,如:变压器漏感,引线电感等等。
2011/10/28 15:55:10
46
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

是的,有时加RCD或RC或C的吸收回路,也有出于EMI方面的考虑

单是从复位方式来说,第三绕组复位应该是比较可靠与高效率的方法

2011/11/11 16:05:02
83
jueqingjuedui
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:18
LV3
排长
版主,正激和反激的RCD的不同作用你应该给大家区别解释一下,免得弄混淆了!
2011/11/21 21:41:27
86
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅
RCD不管用在反激还是在正激电路中的作用是一样的,都是起到吸收钳位的作用
2012/01/04 23:49:45
146
ncy231
威廉希尔币:67 | 积分:0 主题帖:8 | 回复帖:431
LV7
旅长
冰版,这个RC的参数怎么计算呢,很多给的公式计算结果差别很大
2011/10/28 15:53:26
45
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅
你前面提到的用三明治绕法并无不妥呀,只是EMI方面有点影响,为何说要用牺牲效率的方法来换取可靠性?
2011/10/28 16:02:17
47
lxgmvp
威廉希尔币:392 | 积分:0 主题帖:6 | 回复帖:347
LV7
旅长
他是看了冰版的前面的贴了,开气隙提高可靠性.
2011/10/28 16:42:15
49
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅
这个主要是针对大功率的产品来说的,200W的小功率,就能我个人的经验来说,一般不开气隙没有太大问题
2011/10/28 17:49:46
53
求学者
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:45 | 回复帖:34
LV5
营长
谢谢冰斑 呵呵。又有个小问题请教:实验中,我测试了0.7*2和0.55*4两种线径的温升情况发现:0.55*4明显比0.7*2要高。接近10度左右。这显然是于它们的电流密度是相反的。。。是否可以这样认为:在我采用三明治绕法中的临近效应比趋肤效应的影响要大呢???实际应用中怎么优化呢?
2011/11/02 17:52:38
61
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

临近效应是一个方面,应该还有分布参数在作怪

0.55*4比0.7*2是否多了一层?或更多?

层数多了会带来漏感的增大,分布电容的增加等负面影响,从而引起振荡,导致最终的发热

2011/11/08 20:46:55
78
yuzixuan
威廉希尔币:154 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:165
LV8
师长
讲解高深,论述精辟!
2011/10/28 17:00:33
51
流水禅心
威廉希尔币:44 | 积分:0 主题帖:70 | 回复帖:320
LV7
旅长
冰版,选择骨架宽度较宽的变压器磁芯会增加此路长度,导致磁损增大,同时变压器线包对外辐射面积增大,对于EMI也不是很容易通过。
2011/10/28 17:01:39
52
流水禅心
威廉希尔币:44 | 积分:0 主题帖:70 | 回复帖:320
LV7
旅长
所以应该折中考虑是吧
2011/11/02 17:54:49
62
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

你考虑得比较全面,这些方面的影响是有的

但瑕不掩瑜,宽的骨架与磁芯的综合性能会更好,所以被更多的工程师选用

2011/11/08 20:50:18
79
yuzixuan
威廉希尔币:154 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:165
LV8
师长
骨架宽,体积大,对LED照明用威廉希尔好像不适用啊!
2011/10/28 11:58:05
41
huchuyou
威廉希尔币:201 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:148
LV6
团长

好贴,顶心中有冰老师!!下次到上海来上课的时候应该告诉我一下,我来捧场哦!上次在上海讲的真的太精彩了!!!

2011/11/08 20:52:18
80
yuzixuan
威廉希尔币:154 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:165
LV8
师长
什么时候的事啊?
2011/10/28 16:49:37
50
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅
最近实在太忙了,下周继续更新,并附计算实例
2011/11/01 14:04:53
55
zhangtao3b608
威廉希尔币:27 | 积分:0 主题帖:35 | 回复帖:546
LV8
师长
做个记号
2011/11/01 15:55:05
56
hh123
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:47
LV4
连长

Ps=Po/η+Po  ??

这个公式从何而来,是不是每个拓扑都不同?

2011/11/01 20:47:05
57
hechaocao
威廉希尔币:256 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:181
LV5
营长
努力学习ing
2011/11/02 17:55:59
63
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅
是的,PS是个视在功率,每个拓扑略有不同
2011/11/02 19:40:59
67
hh123
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:47
LV4
连长
有没有各个拓扑相关这个公式的文章推荐下,个人理解Ps=Pin/PF,不理解为何得出这个公式
2011/11/08 20:53:36
81
yuzixuan
威廉希尔币:154 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:165
LV8
师长
我也在等这样的文章!
2015/07/12 10:44:48
228
Aoxue
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:6
LV2
班长
问下,PS=PO/效率,就是视在功率,不用再加PO吧
2011/11/02 09:24:44
59
威廉希尔网-源源
威廉希尔币:6964 | 积分:60 主题帖:331 | 回复帖:1332
LV10
司令
冰版加油冰版加油~~~11月12日深圳会议有冰版的演讲,议题首次公开哦~~欢迎大家参加
2011/11/08 20:54:49
82
yuzixuan
威廉希尔币:154 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:165
LV8
师长
会议的详细内容现在出来没?
2011/11/02 18:04:10
64
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

下班前抽空写几句,思路不太连贯,大家见谅,最终的计算流程我会以实例的方式呈现给大家

计算好匝比之后,一般会综合考虑次级整流管的电压应力,将计算的匝比调整或将匝比取整,接着我们就可以通过匝比来反推电路的真实占空比范围

Dmax=n(Vo+Vf)/Vin(min)

Dmin=n(Vo+Vf)/Vin(max)

后面的就是要根据真实的占空比范围来计算,这样得到的参数才是比较合理的

 

2011/11/02 18:13:32
65
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

接着就可以计算最大与最小的导通时间,

tonmax= Dmax/ fs

tonmin= Dmin/ fs

接着就能计算初级绕组的匝数了

Np =Vin(min) ×tonmax/(ΔB×Ae)

Np:初级绕组的最少匝数

Vin(min):初级绕组的最低输入直流电压

tonmax:初级MOSFET的最大导通时间

ΔB:磁感应强度的变化量,正激类威廉希尔根据散热条件,一般可以取0.2-0.3

Ae:所选磁芯的横截面积,一般在磁芯手册上可以查到

2011/11/02 18:14:11
66
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅
要下班了,有空回来继续更新
2011/11/03 08:27:16
68
zhanghuawei
威廉希尔币:405 | 积分:0 主题帖:236 | 回复帖:1049
LV9
军长

尽职尽责的斑竹!

2011/11/03 09:22:59
69
hechaocao
威廉希尔币:256 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:181
LV5
营长

顶起

 

2011/11/03 11:58:04
70
sense725
威廉希尔币:5 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:9
LV2
班长

版主:您好!

      我是一位新手,正在学习的过程中,其中有一个问题想请您确认一下,桥式BUCK,磁芯是否也需要复位,是不是其D值也不能大于0.5。桥式BUCK跟单端BUCK有什么主要的区别!谢谢了

2011/11/21 21:44:32
87
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅
不好意思,你说的桥式BUCK我还不太明白,是否可以给出简单的拓扑示意图
2011/11/24 17:01:54
108
sense725
威廉希尔币:5 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:9
LV2
班长

就是变压器初级由4个MOS组成的桥式驱动,次级是桥式整流的电路

2011/11/24 20:16:45
109
GreenEnergy
威廉希尔币:49 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:281
LV7
旅长
这步是凭什么怎么来的?
2011/11/08 18:51:25
71
hollyrill
威廉希尔币:39 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:61
LV4
连长
冰版,我在试验中发现,正激副边尖峰和输出电感量还有关系,电感量小,尖峰小(当然其他参数不变,只改变输出电感量)。  能否帮忙分析解释,谢谢。
2011/11/21 21:47:28
88
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

是CCM的时候吗?

我不知道你测试的时候负载情况,是否可以提供更为详细的测试参数,还有波形,谢谢

2011/12/04 20:42:31
120
manmaxim
威廉希尔币:15 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:15
LV2
班长

不可能吧!输出电感怎么可能呢!我没有看到过,详细放上来看看

2011/11/16 10:35:06
84
威廉希尔网-娜娜姐
威廉希尔币:457 | 积分:207 主题帖:293 | 回复帖:1807
LV10
司令
期待冰版回来继续哦~~
2011/11/20 01:12:11
85
乔#老#爷
威廉希尔币:55 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:46
LV5
营长
老弟现在帖子到哪了?最近可忙死我了!难得晚上来转转
2011/11/21 21:48:02
89
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅
最近在忙一些私事,好久没有来更新了,惭愧
2011/11/21 22:33:24
90
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

由于最近一直忙于个人事情,很久没有来更新了,今天晚上难得有空来写几段

接65帖,得到Np之后,就可以计算出复位绕组匝数Nr,并计算出励磁电流以及复位绕组的线径,考虑到MOSFET的电压应力与变压器的可靠复位,一般都是设Np=Nr,然后根据所选磁芯的AL值,计算出复位绕组的电感量Lr=AL*N^2,继而计算出复位绕组的复位电流Ir=Vin(min) ×tonmax/Lr,相应的绕组线径也就能计算出来了

2011/11/22 09:11:36
91
lxgmvp
威廉希尔币:392 | 积分:0 主题帖:6 | 回复帖:347
LV7
旅长

期待继续更新,顶下!

2011/11/22 23:07:06
92
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

接下来计算次级匝数,次级匝数Ns = Np / n,当然得到的数值不一定是整数,一般都是要四舍五入取整数匝,因为小数匝在绕线的时候工艺不好控制。

此时又会带来一个问题,要想保持匝比不变,那么势必要根据四舍五入之后的次级匝数,反过来计算初级的最终匝数,否则占空比就会发生改变, Np= Ns * n

计算的NP如果不是整数的话,也需要近似的取值,当然会带来匝比与占空比的轻微变化,但由于影响较小,所以一般都不需要再次去反推占空比

同样的,确定最终的初级匝数之后,可以反过来推算变压器磁芯的磁感应强度变化范围,验证ΔB是否在合理的范围之内,ΔB=[Vin(min) ×Dmax×Ts] / (Np×Ae)

2011/11/22 23:13:25
93
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

这里其实有一个问题,不知大家是否发现了

我90帖的内容应该放在92帖之后,因为次级匝数的取整,可能会带来初级匝数的变化,而一般复位绕组跟初级匝数相等,所以需要等初级匝数最终确定之后才能去计算复位绕组的匝数跟线径,而我在90帖就计算了复位绕组,这是不严谨的,所以要向大家致歉!

2011/11/22 23:46:46
94
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

接下来的工作就是计算初次级绕组的线径

有一点需要大家注意的就是,计算线径要以电流有效值来计算,而非电流峰值或平均值!

要计算初级绕组的线径,首先要计算初级的峰值电流Ip = Pi / VL = Po / (η×Dmax×Vin) ,然后再计算峰值电流Iprms= Ip×D ,最后在根据电流密度来计算需要的绕组线的横截面积,最后要根据频率,趋肤深度与临近效应,变压器骨架宽度跟深度等因素来计算单根线径的外径

同理次级绕组的计算方法一样的,不同点就是用电流平均值来计算,Isrms=Io×√D,然后要考虑单根线径的值,考虑因素同上

2011/11/22 23:49:13
95
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

接下来就是考虑到变压器的绕指工艺与方便性了,这在后面的跟帖中再跟大家详细讨论吧

太晚了,明天有空给大家上一个我的计算实例

2011/11/23 09:28:11
96
威廉希尔网-网儿
威廉希尔币:93 | 积分:0 主题帖:25 | 回复帖:106
LV5
营长
 冰版威武!!
2011/11/23 21:17:12
97
心中有冰[荣誉版主]
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LV11
统帅

计算实例终于来了:

本文以一个13.8V 20A的汽车铅酸电池充电器变压器计算过程为例,来说明正激变压器的计算过程,水平有限,不当之处请大家指正。

1、相關規格参数(SPEC:xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

 INPUT:  AC  180V~260V    50Hz

 OUTPUT:  DC    13.8V (Uomax=14.7V)  xml:namespace prefix = st1 ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:smarttags" />20A     

 Pout:    274W  (Pomax=294W)

η≧80%,   fs: 60KHZ;

主电路拓扑采用单管正激   自冷散热

2011/11/23 21:19:09
98
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

2、選擇core材質.決定△Bxml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

选择PC40材质Core,考虑到是自冷散热的方式,取ΔB0.20T
2011/11/23 21:20:10
99
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

3、確定core AP.決定core規格型號.xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

       AP=AW×Ae=(Ps×104)/(2×ΔB×fs×J×Ku)

       Ps :   變壓器傳遞視在功率 ( W )     Ps=Po/η+Po  (正激式)

             Ps=294/0.8+294661.5W

       J :    電流密度 ( A ) .xml:namespace prefix = st1 ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:smarttags" />400 A/cm2

           Ku:  銅窗占用系數. 0.2

       AP=(661.5×104)/(2×0.20×60×103×400×0.2)3.4453 cm2

選用CORE ER42/15  PC40.其參數為:

AP=4.3262 cm4    Ae=194 mm2     Aw=223mm2     Ve=19163mm3         AL=4690±25%     Pt=433 W  (100KHz  25) 
2012/01/17 15:59:31
155
xgipm
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LV6
团长

AP=AW×Ae=(Ps×10^4)/(2×ΔB×fs×J×Ku)
此式中计算Ps的电流是有效值,而且设定占空比为0.5,这样计算出的功率不是真实的视在功率。

我认为应该是AP=Pout×(1+1/η)×D^0.5/(ΔB×fs×J×Ku)
=(294(1+1/0.8)*0.387^0.5)/(0.2*60000*400*0.2)*10000
=4.29 cm^4

2012/01/17 16:09:04
156
xgipm
威廉希尔币:25 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:94
LV6
团长
对实际选取的磁芯AP值大于计算值的看法:
       选取较大的磁芯不但可以减小匝数,还可减小线圈总长度。依长度与面积的关系,Ae增大n倍,线圈周长增大n^0.5倍,Np减小到原来的1/n,线圈总长为原来的n^0.5/n=1/n^0.5倍,即Ae增大为原来的2倍时,线圈总长为原来的1/1.414=0.707倍。即选用较大的磁芯能减小线圈用铜量。实际应用时要权衡用铜的减少和磁芯增大的成本比较。即计算值AP是下限值。
2012/02/06 12:13:52
159
xgipm
威廉希尔币:25 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:94
LV6
团长

Ku*Wa=Np*Ipr/J+Ns*Isr/J
=(Vin*Ipr*Ton+Vo*Isr*Ton)/(Bm*Ae*J)
=(Vin*Ipr*D+Vout*Isr*D)/(Bm*Ae*J*f )
Ap=Wa*Ae=(Vin*Ipr*D+Vout*Isr*D)/(Bm*J*Ku*f)
=D*(Vin*Ipr+Vout*Isr)/(Bm*J*Ku*f)
=(Pin+Pout)*D/(Bm*J*Ku*f)        (Pin、Pout为电压*电流有效值)
当D=0.5时
Ap=(Pin+Pout)/(2*Bm*J*Ku*f)

Ipr=Ip*D^0.5 
平均电流Ix=Ip*D=Ipr*D^0.5   (忽略激磁电流,次级储能电感大时,Ip近似为恒流)

Ap=D*(Vin*Ipr+Vout*Isr)/(Bm*J*Ku*f)
=D^0.5*(Vin*Ipx+Vout*Isx)/(Bm* J* Ku*f )
=(Pin+Pout)*D^0.5/(Bm*J*Ku*f)    (Pin、Pout为电压*电流平均值)
当D=0.5时
Ap=(Pin+Pout)/(1.414*Bm*J*Ku*f)

2012/04/21 21:40:12
161
chcwilson
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LV3
排长

既然J是电流密度,那Ipr与Isr应该用有效值计算吧。但是又看你用N=Vdt/db/A代入,觉得你用的是dI来算,但是对于正激,一次侧是断续三角波,二次电感是梯形波,即使用dI来求,三角波的时候就不是D^0.5

Ap=D*(Vin*Ipr+Vout*Isr)/(Bm*J*Ku*f)
=D^0.5*(Vin*Ipx+Vout*Isx)/(Bm* J* Ku*f )
=(Pin+Pout)*D^0.5/(Bm*J*Ku*f)   所以我觉得也不对啊!!!

2011/11/23 21:25:49
100
心中有冰[荣誉版主]
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LV11
统帅

4、計算Np  Ns.xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

      (1). 計算匝比 n = Np / Ns      Dmax = 0.4

          n = Np / Ns = Vi / Vo = [Vin(min) ×Dmax] / (Vo+Vf)    

Vf :二极管正向壓降   1V

                    Vin(min)=180×0.9×2-20=209 VDC 

                     Vin(max)=260×2=370 VDC

n=(209*0.4)/(13.8+0.7)=5.766        5.5

CHECK  Dmax

     Dmax=n(Vo+Vf)/Vin(min)= 5.5 

      (13.8+1)/209=0.38680.387

Dmin=n(Vo+Vf)/Vin(max)= 5.5

(13.8+1) /370=0.218

       (2). 計算Np

           Np =Vin(min) ×ton/(ΔB×Ae)    

TonMOS管导通时间    ton= Dmax/ fs0.387/60×1036.33uS

Np = (209×6.33)/( 0.20×194)=34.1          34TS

       (3). 計算Ns

            Ns = Np / n = 34÷5.56.18             取整为6 TS

(4). CHECK  Np  (以Ns驗算Np)

   Np = Ns×n = 6×5 .5= 33TS             Np = 33TS

(5).確定NR

     NR = Np = 33TS

(6). CHECK ΔB之選擇合理性.

  ΔB=[Vin(min) ×Dmax×Ts] / (Np×Ae) 

= (209×6.33)/ (33×194)=0.2067T

2011/11/25 08:35:09
110
qi8903
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LV6
团长

冰版这个公式改怎么理解Vin(min)=180×0.9×2-20=209 VDC 

2011/11/25 10:01:56
112
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅
这个是考虑到电网电压波动以及BULK电容上的电压纹波,具体的计算跟反激上的一样,请参照我的另一个帖子里面
2011/12/27 16:59:18
135
tongyue
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LV4
连长

变压器温升如何计算,如何考虑,觉得是个难点。

2011/12/27 20:56:17
136
zq2007
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LV11
统帅
关于变压器温升的控制,我也有疑问,请各位大师讲讲。
2011/12/28 09:12:43
137
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅
呵呵,变压器温升主要来自于铜损与铁损,而这两个损耗也是可以精确计算的,前提是模型要足够准确
2011/12/28 09:17:03
138
zvszcs
威廉希尔币:104 | 积分:0 主题帖:228 | 回复帖:3327
LV12
元帅

冰版加油哦

2012/01/02 13:33:20
140
samsung陈
威廉希尔币:62 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:245
LV8
师长

请教冰版 ΔB=[Vin(min) ×Dmax×Ts] / (Np×Ae) 这个公式中的Dmax×Ts是什么意思?XTS是什么东西,从下面的实际计算公式中来来Dmax×Ts就是Dmax啊


2012/01/03 09:25:48
141
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅
Dmax×Ts就是ton,即开关管导通的时间
2011/11/23 21:27:02
101
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

5、計算线径:xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

(1). 求初級線徑dwp

Ip = Pi / VL = Po / (η×Dmax×VIN) =294/(0.80×0.38×209) = xml:namespace prefix = st1 ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:smarttags" />4.63 A

Iprms= Ip×D =4.63 ×0.38 = 2.854A

Awp = I/J = 2.854/5 = 0.571mm2

dwp=(4Awp/π)=√(4×0.571/3.14)= 0.853mm   

Φ0.9mm orΦ0.55mm×4

 

 (2). NR繞組線徑dwR.

     NR = 33TS              L = N2×AL

     L = 332×4690×0.75 = 3.83mH

     Im = Vin(min) ×ton / L = (209×6.33) / (3.83×103) 0.345A

AWN = 0.345 / 5 = 0.0691mm2

dwN=(4×0.0691/3.14) = 0.235mm              取Φ0.28mm

(3). 求繞組Ns之線徑dws

    Isrms=16×0.35=9.47A              (设计输出电流最大为16A)

Aws= I / J9.47÷51.9 mm2

ER42/15  BOBBIN幅寬27.5mm±0.3mm.考虑扣除挡墙約6mm,則有

27.5 - 6=21.5mm之可繞寬度,預留適當空間(1.5mm) W20mm

: 

 dws=(4Aws/π)=√(4×1.9/3.14)= 1.56mm

选用Φ0.40mm×16
2011/12/22 17:55:58
129
sunnywoo88
威廉希尔币:10 | 积分:0 主题帖:199 | 回复帖:50
LV6
团长

L = 332×4690×0.75 = 3.83mH,

冰版这里为什么要乘0.75

2011/12/23 10:40:07
130
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

这位兄弟看的很仔细,赞一个!

考虑到磁芯的AL值误差,根据磁芯厂家提供的数据,我取的是±25%的偏差,所以最小电感是1-25%=75%=0.75

这就是0.75的由来

2012/04/21 21:47:01
162
chcwilson
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:23
LV3
排长

冰版主,既然磁芯是根据Ap公式模糊选定的,那就是AL值的确定也是模糊选定,当计算圈数一定时,不同人选择的磁芯型号不同时,所产生的实际电感值就会有很大区别,请问电感的合理范围应该怎么确定呢?能否用Ldi=Vdt确定电感值???还是用实际威廉希尔参数选择合理的电感值来使得威廉希尔系统动态性能最好?

2012/01/13 15:14:17
151
usts_zhangjun
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:2
LV1
士兵

支持下冰版主的好帖。针对你Isrms的计算有疑惑,可否解释下。

你的计算取输出最大电流为16A,可有什么说法?

你看我的计算Isrms=Np/Ns*Ip*D=5.5*4.63*√0.38=15.7A,我得出Irms比较大啊。

2012/05/06 00:19:24
163
zouliquan
威廉希尔币:2 | 积分:3 主题帖:4 | 回复帖:61
LV4
连长

冰版,这里有个问题请教您:

对于:   Im = Vin(min) ×ton / L = (209×6.33) / (3.83×103) 0.345A。为什么这里是乘上个开通时间,既然是复位的话,感觉更应该是关断时间,能不能麻烦您解释下。

2012/11/07 09:44:23
179
fsc-hgyf
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:24
LV2
班长
冰版:

Ip = Pi / VL = Po / (η×Dmax×VIN) =294/(0.80×0.38×209) = 4.63 A

这个公式里求的应该不是初级峰值电流,应该是导通时间段的平均值。

2013/08/27 13:19:17
211
天未明love
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:2
LV1
士兵
这里3). 求繞組Ns之線徑dws

    Isrms=16×0.35=9.47A              (设计输出电流最大为16A)

为什么是0.35?D不是0.38吗

2014/05/12 16:44:00
215
xunpel
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:19
LV3
排长
应该是Dmax=0.38。另外,本实例最开始参数列出电流最大为20A,此时的16A应该有误吧?
2014/06/23 21:06:24
219
lijuan@
威廉希尔币:121 | 积分:0 主题帖:35 | 回复帖:36
LV5
营长

冰老师您好:小弟刚接触正激威廉希尔,上面计算线径时0.9MM只用一根,而0.55MM用4根 为什么不是2根 0.55*2=1.1大于0.85 请您指点

2015/07/09 12:36:29
225
hong_t
威廉希尔币:153 | 积分:1 主题帖:58 | 回复帖:114
LV6
团长
这组计算忽略了电流纹波的影响,差了1个系数约(1+r^2/12), 其中r为纹波系数
2011/11/23 21:29:13
102
心中有冰[荣誉版主]
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LV11
统帅

6、计算副边输出储能电感的感量xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

       Lo=Vo×(1-Dmin)÷(0.2×Io×Fs)

         =13.7×(1-0.218)÷(0.2×20×60×103

         =10.7134÷(240×103

         =45μH
2011/11/23 21:57:20
105
晶熔铁
威廉希尔币:410 | 积分:0 主题帖:27 | 回复帖:257
LV7
旅长

冰版辛苦了

2011/11/23 22:06:48
106
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅
,请晶版主指导
2012/12/12 15:29:38
188
yufei.1013
威廉希尔币:46 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:27
LV3
排长
为什么除以0.2,怎么理解呢?谢谢各位大侠指教.
2013/02/01 11:39:41
192
power006
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:11 | 回复帖:101
LV5
营长

TOFF*(VL-VO)=0.2*IO*L

电流波动为输出电流的20%  一般范围是0.1-0.3 看各人习惯

2014/05/12 16:54:48
216
xunpel
威廉希尔币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:19
LV3
排长
在计算其他参数时,都是按照输出电压最大14.7V/20A计算。此处V0为13.7V有误吧?
2015/07/09 12:47:26
226
hong_t
威廉希尔币:153 | 积分:1 主题帖:58 | 回复帖:114
LV6
团长
纹波系数只有0.2, 17A时达到45uH的电感个头很大的,铁硅铝磁芯直径也要40mm以上,绕个几十匝!
2011/11/23 21:54:13
104
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

接下来就是讨论复位的问题了,复位的方式最厂家的有第三绕组复位,RCD复位,谐振复位,有源钳位等方式

具体的优缺点与一些简单的计算等我稍空的时候再总结下,请大家耐心等待

2011/11/23 22:41:50
107
waterayay
威廉希尔币:407 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:472
LV7
旅长
等待~~
2011/11/25 09:06:41
111
asouth
威廉希尔币:309 | 积分:0 主题帖:31 | 回复帖:638
LV8
师长
冰版辛苦!
2011/11/29 10:07:23
114
dq8259
威廉希尔币:276 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:93
LV5
营长
冰版主辛苦了,深受教啊!
2011/11/29 22:39:10
115
乔#老#爷
威廉希尔币:55 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:46
LV5
营长

我最喜欢的双管正激,复位方式可以说是巧夺天工,在能量消耗上来说多余的电流返网不浪费。今年在我一个人手里出来了10K量了,用户反应良好

我来说说双管正激的优缺点啊!

优点:①MOSFET的特点是耐压值越高导通内阻越大,导通内阻越大损耗越大,双管正激的DS峰值就等于威廉希尔整流后的直流电压,反向峰值通过两个复位二极管返网。这点来看效率就高很多;

②对变压器的适应性要强很多,反向峰值比单管的要低,所以相对单管的初级匝数可以比双管的少也能达到比较理想的效果;

③,很多开关管击穿都是电压击穿,双管正激就算耐压值在400V也不会出现电压击穿,因为开关管关断的反向峰值被死死钳在威廉希尔电压上了,而单管的耐压值要求一般在800-900V。所以从可靠性上更胜一筹。

说到缺点当然也有;①当然是电路结构相对单管要复杂得多,必须通过变压器或者其他方式耦合一路高位驱动,还多一个MOSFET,成本也高了很多。

②两个开关管是串联关系,所以每一个管子的发热量相当于单管一个管子的发热量,这样共用一个壳体散热的话温度要高一些……

尽管这样我还是喜欢双管正激的,多一些成本的投入减少后续维护的费用,那我还不如少赚点

2011/11/30 10:01:01
116
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

总结得很到位,赞一个

期待乔兄能有更精彩的内容跟大家一起分享

2011/12/01 01:59:54
117
乔#老#爷
威廉希尔币:55 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:46
LV5
营长
在老弟面前班门弄斧了!最近勉强得空进来搅和搅和,我还不断的在里面领教呢
2011/12/20 15:59:04
121
liuqiwei85
威廉希尔币:567 | 积分:0 主题帖:41 | 回复帖:196
LV6
团长

乔工,能否我分析个正激的原理图?Schematic  

Q1Q3不用功率限流电阻的吗?这个是属于双管正激还是推挽?我测过Q1Q3波形,两个是轮流导通关系的

另外一个,Q1的DS电压跟Q3的DS电压相差很大的?如何理解?

2011/12/20 18:56:16
122
wkg518
威廉希尔币:40 | 积分:0 主题帖:6 | 回复帖:183
LV5
营长
呵呵!我是来听课的,谢谢大师的讲解!
2011/12/20 21:53:20
123
zq2007
威廉希尔币:174 | 积分:0 主题帖:122 | 回复帖:3590
LV11
统帅
又一口气看完了此贴,受益颇多,
2011/12/21 07:56:54
124
liuqiwei85
威廉希尔币:567 | 积分:0 主题帖:41 | 回复帖:196
LV6
团长
谁给我讲解下上面的电路?
2011/12/21 20:08:09
125
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

这个是半桥电路,跟双管正激的差别很大

Q1,Q3轮流导通时对的

2011/12/22 08:02:54
127
liuqiwei85
威廉希尔币:567 | 积分:0 主题帖:41 | 回复帖:196
LV6
团长

冰版,好久不见!那么如何理解Q1和Q3上的Vds相差很大呢?

2011/12/22 09:11:24
128
心中有冰[荣誉版主]
威廉希尔币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅
不知你是如何测试的,测试上管VDS的话,记得用差分探头
2011/12/23 13:45:44
131
乔#老#爷
威廉希尔币:55 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:46
LV5
营长
半桥!D3/D4/D5   D11/D12/D13组成的反射吸收网络。你测量有误我知道,你那种测量弄不好别把示波器送上天了哦!要是没有差分探头两个点绝对不能同时测量。要是独立测量的话测上管的时候把示波器探头倒过来不就得了吧?夹子夹D极,钩子勾S,读负值 OK
2012/06/24 22:12:03
171
xxldhxx
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LV4
连长

这是一个非对称式半桥电路,该电路设计的比较简单,效率也不错。上管DS电压的确要比一管的高。应该高出1/3的样子。由于上下电容配置不同,工作时电压偏向下位。

2013/06/01 12:30:03
197
154545169qq
威廉希尔币:41 | 积分:4 主题帖:28 | 回复帖:177
LV7
旅长
经典  不愧是批量生产  经验丰富 知道的问题比较多
2011/12/21 22:22:45
126
waterayay
威廉希尔币:407 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:472
LV7
旅长

占位

2011/12/24 09:59:10
132
wkg518
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LV5
营长
LZ的贴很火!高人啊!
2011/12/25 16:56:22
133
peteraudi
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LV2
班长
TL494 半橋電路,不易安全
2011/12/26 13:23:38
134
心中有冰[荣誉版主]
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LV11
统帅

如何有“不易安全”一说?

早期的计算机威廉希尔大部分都是采用硬开关半桥威廉希尔做的,其失效率应该还是值得信赖的;只是到后来一些小厂抄板抄不好,又要降低成本,才使半桥式计算机威廉希尔的声明每况愈下,但我觉得这是设计存在问题,而不在于这个拓扑本身

当然任何的拓扑都有其固有的优缺点,这要看我们怎么去利用其优点,避免其缺点了

2011/12/31 10:12:23
139
lin5200
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LV4
连长
学习了
2012/01/03 21:32:40
142
zq2007
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LV11
统帅
还没做过正激,不知正激与反击的差别在哪?什么情况和要求下需要正激来做呢?
2012/01/03 21:33:29
143
wuzhonggui
威廉希尔币:71 | 积分:10 主题帖:30 | 回复帖:1078
LV9
军长
2012/01/04 09:13:53
144
心中有冰[荣誉版主]
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LV11
统帅

关于正激与反激的差别论坛里面做过很多讨论,就其结构来说,反激变压器可以理解为将储能电感“集成”到变压器中去了,而正激则放在次级

就其应用来说,反激拓扑一般应用在小于150W的场合,而且不适用低压大电流的场合

而正激却恰恰相反,不适合于做高压小电流的威廉希尔,其原因大家可以自行思考下。

2012/06/02 11:36:01
168
catalpa
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LV1
士兵
正激从理论上说是不是功率可以不受限制?